半导体分离器件测试仪BJ2990

产品特点：

      本仪器可对N沟道及P沟道大功率MOS场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10A电流时的gm及RDS（ON）等晶体管图示仪无法检测的参数时，采用了国际电工委员会（IEC）所规定的脉冲法进行测量，有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。

   技术指标：
（1） 栅源截止电压VGS（OFF）：0~±12V
（2） 栅源阈值电压VGS（TH）： 0~±12V
（3） 漏源短路时的栅源击穿电压V（BR）GSS：0~±1000V
（4） 漏源击穿电压V（BR）DS：0~±1000V
（5） 漏源短路时的栅极截止电流IGSS：1nA~100mA
（6） 零栅压时的漏极电流IDSS：1μA~100mA
（7）